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现场供气

 现场供气,是一种在发达国家非常成熟的气体供应方式,其含义是由专业气体公司在气体用户现场,为满足生产工艺中对气体种类、 纯度和压力等的不同需求,提供气体解决方案,投资建设和管理气体生产和供应装置,一对一地供应工业气体。 使用第三方现场供气可以克服富裕气体产品因淡旺季差异对供应可靠性的影响,大大提高供应的可靠性,并且由于供应方式的改变使得气体使用成本大大下降。从国际经验看,海外绝大多数的客户选择了第三方供气,而不是由客户自己投资建设气站,其原因是:
-省力。在需要用气时打开阀门不需要时就关掉它,不须花钱买设备,费力管设备,用气就像使用自来水一样的方便;
-省心。气体设备的运行风险、生产成本和气体质量由专业气体公司承担和控制,在整个合同期内用气成本清晰明了不受市场波动影响;
-可靠。气体的现场制气系统融合了当今世界先进技术水平的现场制气方案和设备。现场制气系统能够实现全天候的在线和远程控制,能自产备用液氧、液氮保障客户用气的性;

-经济。专业公司管理能在不增加客户全成本的前提下,降低客户的气体使用成本。我们提供多种适应性强的现场供气方式,我们拥有专业技术人员保证您的气体供应质量好、安全度高和可靠性强。 根据您的生产过程的参数(纯度、流量、气压),我们将为您量身定制一套现场供气方案,使我们的供气设施可以和您的用气项目可以同步建成,使客户在不增加一分钱投资的前提下方便地使用专业供气的气体,并达到省力、省心、省钱的效果。 

工业气体在化学和石化工业中的应用方式非常丰富多样。有惰化、氢化和氧化处理或者常见简单的燃烧等典型的应用,氮气在化工厂,主要用作保护气、置换气、洗涤气,以保障安全生产,低温液化气体的应用更是促成了许多革新,例如反应温度控制和溶剂回收,使您在降低成本的同时也保护了环境。


对于需求高纯度气体供应的化工企业, 璟和电子科技将会寻找适合的方案,为每一位朋友节约每一分钱成本,带来每一份流畅可靠的服务。


氮气在化工厂,主要用作保护气、置换气、洗涤气,以保障安全生产
氢、氧等作为能量介质是航空、航天的重要燃料;
氩、氮、氦作为保护介质用于生产高纯净、超绝缘、超导等高新技术领域;
半导体产业是现代信息社会的核心基础产业。现今的半导体技术,以高频、大电流、高电压、低功耗、纳米加工技术、SoC设计、SiP封装技术为特征,依然充满创新的活力。半导体光电、太阳能光伏、MEMS等新一代半导体基础产业,新型平板显示、下 一代互联网、物联网、智能电网、汽车电子、节能环保等21世纪的战略性新型产业的发展都将以半导体技术与产品为重要基础。 半导体行业常用气体:NH3 氨气应用:CVD工艺植入氮化硅薄膜,在带间隙的高
      速、高功率半导体晶体管上植入氮化硅化合物等。N20 一氧化二氮 (笑气)应用:和硅烷一起用于在CVD过程中生成氮化硅薄
      膜。SiH4 硅烷应用:在外延生长技术中用作硅源、用于低温二氧
      化硅CVD、用于氮化硅CVD 、氯硅烷类及烷基氯硅烷类的骨架结构,硅的外延生长、多晶硅、氧化硅、氮
      化硅等的原料。BCl3 三氯化硼应用:等离子刻蚀、在离子植入中用作硼源(N掺杂)CO2 二氧化碳应用:在半导体制造中氧化、扩散、化学气相淀积,CVD中改变去离子水的导电性。C4F8 八氟环丁烷应用:刻蚀气体 / 等离子刻蚀SF6 六氟化硫应用:等离子刻蚀CF4 四氟化碳应用:以纯四氟化碳或者和氧气混合的方式,用于在CVD过程之前,对二氧化硅、氮化硅、多晶硅和一些
      硅-金属化合物进行的等离子刻蚀Xe 氙气应用:在离子植入中作为电子源
 
 利用太阳能的佳方式是光伏转换,就是利用光伏效应,使太阳光射到硅材料上产生电流直接发电。以硅材料的应用开发形成的产业链条称之为光伏产业,包括高纯多晶硅原材料生产、太阳能电池生产、太阳能电池组件生产、相关生产设备的制造等。 太阳能是未来清洁、安全和可靠的能源,发达国家正在把太阳能的开发利用作为能源革命主要内容长期规划,光伏产业正日益成为国际上继IT、微电子产业之后又一爆炸式发展的行业。在光伏行业中,气体主要用于薄膜沉积和清洗。这些工艺中,常用的气体有:氨气(NH3)、硅烷(SiH4)、四氟化碳(CF4)、三氟化氮(NF3)。光伏行业中的常用气体
NH3 氨气
应用:在CVD过程中生成氮化硅薄膜

SiH4 硅烷
应用:在外延生长技术中用作硅源、用于低温二氧化硅CVD、用于氮化硅CVD

NF3 三氟化氮
应用:清洗CVD反应室, 对硅和氮化硅蚀刻

O2 氧气
应用:炉室清洗

PH3 磷烷
应用:掺杂气体

He  氦气
应用:用于冷却、晶体生长、等离子干刻

CF4 四氟化碳
应用:以纯四氟化碳或者和氧气混合的方式,用于在CVD过程之前,对二氧化硅、氮化硅、多晶硅和一些硅-金属化合物进行的等离子刻蚀。

B2H6  乙硼烷
应用:在离子植入中用作硼源(P掺杂)、用于外延生长 
  

 

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